| Artikelnummer | BLP8G20S-80PY |
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| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenz | 1.88GHz ~ 1.92GHz |
| Gewinnen | 17.5dB |
| Spannung - Test | 28V |
| Aktuelle Bewertung | - |
| Rauschzahl | - |
| Aktueller Test | 300mA |
| Leistung | 10W |
| Spannung - Bewertet | 65V |
| Paket / Fall | SOT-1223-1 |
| Lieferantengerätepaket | 4-HSOPF |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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BLP8G05S-200GY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | Einzelheiten |
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BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | Einzelheiten |
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BLP8G10S-270PWY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | Einzelheiten |
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BLP8G10S-45PGJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | Einzelheiten |
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BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | Einzelheiten |
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BLP8G10S-45PJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOPF | Einzelheiten |
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BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | Einzelheiten |
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BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | Einzelheiten |
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BLP8G21S-160PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | Einzelheiten |
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BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | Einzelheiten |
