VS-GBPC2512W - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-GBPC2512W
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	25A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 12.5A
Текущий - обратный утечек @ Vr	-
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-Square, GBPC-W
Пакет устройств поставщика	GBPC-W
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	подробности
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	подробности
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	подробности
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	подробности
VS-GA200HS60S1	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W	подробности
VS-GA200HS60S1PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK	подробности
VS-GA200SA60SP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	подробности
VS-GA200SA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 200A 500W SOT-227	подробности
VS-GA200TH60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK	подробности
VS-GA250SA60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 400A SOT227	подробности