| номер части | VS-GA200HS60S1 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип IGBT | - |
| конфигурация | Half Bridge |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 480A |
| Мощность - макс. | 830W |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 1.21V @ 15V, 200A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 1mA |
| Входная емкость (Cies) @ Vce | 32.5nF @ 30V |
| вход | Standard |
| Термистор NTC | No |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | INT-A-Pak |
| Пакет устройств поставщика | INT-A-PAK |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | подробности |
|
VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | подробности |
|
VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | подробности |
|
VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | подробности |
|
VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | подробности |
|
VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | подробности |
|
VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | подробности |
|
VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 | подробности |
|
VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK | подробности |
 |
VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 | подробности |
