VS-GA100TS60SFPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-GA100TS60SFPBF
Статус детали	Obsolete
Тип IGBT	PT
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	220A
Мощность - макс.	780W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	1.28V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	16.25nF @ 30V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	INT-A-Pak
Пакет устройств поставщика	INT-A-PAK
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	подробности
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	подробности
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	подробности
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	подробности