VS-GBPC2512W - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	VS-GBPC2512W
Stato parte	Active
Tipo diodo	Single Phase
Tecnologia	Standard
Voltage - Peak Reverse (Max)	1200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	25A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 12.5A
Corrente - Perdita inversa @ Vr	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	4-Square, GBPC-W
Pacchetto dispositivo fornitore	GBPC-W
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	Dettagli
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	Dettagli
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GA200HS60S1	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W	Dettagli
VS-GA200HS60S1PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GA200SA60SP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	Dettagli
VS-GA200SA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 200A 500W SOT-227	Dettagli
VS-GA200TH60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GA250SA60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 400A SOT227	Dettagli