| Numero di parte | VS-GA200TH60S |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 260A |
| Potenza - Max | 1042W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A (Typ) |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13.1nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | Dettagli |
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VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | Dettagli |
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VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | Dettagli |
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VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | Dettagli |
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VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 | Dettagli |
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VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK | Dettagli |
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VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 | Dettagli |
