VS-GA200TH60S

VS-GA200TH60S - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GA200TH60S
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
78 pcs
Referenzpreis
USD 338.6025/pcs
Unser Preis
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VS-GA200TH60S detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GA200TH60S
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 260A
Leistung max 1042W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A (Typ)
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4)
Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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