| Artikelnummer | VS-GA250SA60S |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 400A |
| Leistung max | 961W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.66V @ 15V, 200A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 16.25nF @ 30V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | Einzelheiten |
|
VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | Einzelheiten |
|
VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 | Einzelheiten |
