VS-GA100TS120UPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	VS-GA100TS120UPBF
Teilstatus	Obsolete
IGBT-Typ	-
Aufbau	Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	182A
Leistung max	520W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	18.67nF @ 30V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	INT-A-Pak
Lieferantengerätepaket	INT-A-PAK
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	Einzelheiten
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	Einzelheiten
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	Einzelheiten
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	Einzelheiten