VS-GA100TS120UPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza: VS-GA100TS120UPBF
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descripción: IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: VS-GA100TS120UPBF Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: VS-GA100TS120UPBF.pdf
Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 4088 pcs
Precio de referencia: USD 0/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	VS-GA100TS120UPBF
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de IGBT	-
Configuración	Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	182A
Potencia - Max	520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo)	1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	18.67nF @ 30V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	INT-A-Pak
Paquete de dispositivo del proveedor	INT-A-PAK
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	Detalles
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	Detalles
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	Detalles
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	Detalles