VS-GA100TS120UPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GA100TS120UPBF
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	-
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	182A
Puissance - Max	520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	18.67nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	INT-A-Pak
Package de périphérique fournisseur	INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	Détails
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	Détails
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	Détails
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	Détails