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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › VS-GA100TS60SF
VS-GA100TS60SF

VS-GA100TS60SF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article
VS-GA100TS60SF
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
IGBT 600V 220A 780W
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
VS-GA100TS60SF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4450 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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VS-GA100TS60SF Description détaillée

Numéro d'article VS-GA100TS60SF
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT PT
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 220A
Puissance - Max 780W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.28V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 16.25nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas INT-A-Pak
Package de périphérique fournisseur INT-A-PAK
Poids -
Pays d'origine -

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