VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	VS-GA250SA60S
Stato parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	400A
Potenza - Max	961W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.66V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max)	1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	16.25nF @ 30V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SOT-227-4
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	Dettagli
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	Dettagli
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GA200HS60S1	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W	Dettagli
VS-GA200HS60S1PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GA200SA60SP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	Dettagli
VS-GA200SA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 200A 500W SOT-227	Dettagli
VS-GA200TH60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK	Dettagli
VS-GA250SA60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 400A SOT227	Dettagli