• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › VS-GA250SA60S
VS-GA250SA60S

VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番
VS-GA250SA60S
メーカー
Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明
IGBT 600V 400A SOT227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
VS-GA250SA60S PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
402 pcs
参考価格
USD 78.75/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください VS-GA250SA60S

VS-GA250SA60S 詳細な説明

品番 VS-GA250SA60S
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 400A
電力 - 最大 961W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 1.66V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断（最大） 1mA
入力容量（Cies）@ Vce 16.25nF @ 30V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SOT-227-4
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227
重量 -
原産国 -

関連製品 VS-GA250SA60S

画像 品番 メーカー 説明 見る
VS-GA100NA60UP VS-GA100NA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 100A 250W SOT-227 詳細
VS-GA100TS120UPBF VS-GA100TS120UPBF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK 詳細
VS-GA100TS60SF VS-GA100TS60SF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 220A 780W 詳細
VS-GA100TS60SFPBF VS-GA100TS60SFPBF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK 詳細
VS-GA200HS60S1 VS-GA200HS60S1 Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 480A 830W 詳細
VS-GA200HS60S1PBF VS-GA200HS60S1PBF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK 詳細
VS-GA200SA60SP VS-GA200SA60SP Vishay Semiconductor Diodes Division MODULE IGBT SOT-227 詳細
VS-GA200SA60UP VS-GA200SA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 200A 500W SOT-227 詳細
VS-GA200TH60S VS-GA200TH60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK 詳細
VS-GA250SA60S VS-GA250SA60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 400A SOT227 詳細