| Numéro d'article | VS-GBPC2512W |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Standard |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 1200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 25A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 12.5A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | 4-Square, GBPC-W |
| Package de périphérique fournisseur | GBPC-W |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | Détails |
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VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | Détails |
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VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | Détails |
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VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | Détails |
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VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | Détails |
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VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | Détails |
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VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | Détails |
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VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 | Détails |
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VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK | Détails |
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VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 | Détails |
