SQA401EEJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQA401EEJ-T1_GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2.68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	113 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	5.3nC @ 4.5V
Vgs (Макс.)	±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	375pF @ 10V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	13.6W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6 Single
Упаковка / чехол	PowerPAK® SC-70-6
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	SQA401EEJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70	подробности
	SQA401EJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V POWERPAK SC-70-6	подробности