SQA401EJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQA401EJ-T1_GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3.75A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	330pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±12V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	13.6W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6 Single
Упаковка / чехол	PowerPAK® SC-70-6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SQA401EEJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70	подробности
SQA401EJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V POWERPAK SC-70-6	подробности
SQA403EJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 30V	подробности
SQA405EJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 40V	подробности