SQA401EEJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQA401EEJ-T1_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	113 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	375pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	13.6W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacchetto / caso	PowerPAK® SC-70-6
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SQA401EEJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70	Dettagli
	SQA401EJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V POWERPAK SC-70-6	Dettagli