SQA401EEJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SQA401EEJ-T1_GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	113 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	375pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	13.6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Fall	PowerPAK® SC-70-6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SQA401EEJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70	Einzelheiten
	SQA401EJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V POWERPAK SC-70-6	Einzelheiten