| номер части | SI1079X-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.44A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 750pF @ 15V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 330mW (Ta) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | SC-89-6 |
| Упаковка / чехол | SOT-563, SOT-666 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1070X | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | подробности |
 |
SI1070X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F | подробности |
|
SI1070X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F | подробности |
|
SI1071X | VISHAY | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI1071X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F | подробности |
|
SI1071X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6 | подробности |
|
SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F | подробности |
|
SI1072X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SC89 | подробности |
|
SI1073X | VISHAY | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SI1073X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 | подробности |
