SI1070X-T1-E3 - Vishay Siliconix

номер части	SI1070X-T1-E3
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	-
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.55V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	8.3nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	385pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±12V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	236mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-89-6
Упаковка / чехол	SOT-563, SOT-666
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI1070X	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	подробности
SI1070X-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F	подробности
SI1070X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F	подробности
SI1071X	VISHAY	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	подробности
SI1071X-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F	подробности
SI1071X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6	подробности
SI1072X-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F	подробности
SI1072X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V SC89	подробности
SI1073X	VISHAY	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	подробности
SI1073X-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6	подробности