SI1070X-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI1070X-T1-E3
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.55V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	385pF @ 15V
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SC-89-6
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SI1070X	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	Détails
SI1070X-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F	Détails
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