SI1071X-T1-GE3 Description détaillée
Numéro d'article |
SI1071X-T1-GE3 |
État de la pièce |
Obsolete |
FET Type |
P-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
- |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.45V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
13.3nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
315pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±12V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
236mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
167 mOhm @ 960mA, 10V |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
SC-89-6 |
Paquet / cas |
SOT-563, SOT-666 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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