부품 번호 | SI1071X-T1-GE3 |
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부품 상태 | Obsolete |
FET 유형 | P-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1.45V @ 250µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.3nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 315pF @ 15V |
Vgs (최대) | ±12V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 236mW (Ta) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 167 mOhm @ 960mA, 10V |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | SC-89-6 |
패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
무게 | - |
원산지 | - |