SI1079X-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI1079X-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.44A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	330mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-89-6
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI1070X	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	Dettagli
SI1070X-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F	Dettagli
SI1070X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F	Dettagli
SI1071X	VISHAY	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	Dettagli
SI1071X-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F	Dettagli
SI1071X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6	Dettagli
SI1072X-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F	Dettagli
SI1072X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V SC89	Dettagli
SI1073X	VISHAY	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	Dettagli
SI1073X-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6	Dettagli