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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SI1072X-T1-GE3
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI1072X-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V SC89
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SI1072X-T1-GE3 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3785 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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SI1072X-T1-GE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI1072X-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93 mOhm @ 1.3A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Peso -
Paese d'origine -

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