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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SI1079X-T1-GE3
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI1079X-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SI1079X-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1184620 pcs
参考価格
USD 0.13899/pcs
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SI1079X-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI1079X-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.44A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 100 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 26nC @ 10V
Vgs（最大） ±12V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 750pF @ 15V
FET機能 -
消費電力（最大） 330mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SC-89-6
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
重量 -
原産国 -

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