SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番
SI1070X-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
45000 pcs
参考価格
USD 0.1876/pcs
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SI1070X-T1-GE3 詳細な説明

品番 SI1070X-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.55V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 8.3nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 385pF @ 15V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 236mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SC-89-6
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
重量 -
原産国 -

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