TK040N65Z,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK040N65Z,S1F
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	57A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.85mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	6250pF @ 300V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	360W (Tc)
Рабочая Температура	150°C
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK0405800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 4POS SIDE ENTRY 5MM PCB	подробности
	TK040N65Z,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	подробности