TK040N65Z,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK040N65Z,S1F
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	57A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.85mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6250pF @ 300V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	360W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TK0405800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 4POS SIDE ENTRY 5MM PCB	Détails
	TK040N65Z,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	Détails