TK040N65Z,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TK040N65Z,S1F
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	57A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 2.85mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	105nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	6250pF @ 300V
FET機能	-
消費電力（最大）	360W (Tc)
動作温度	150°C
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247
パッケージ/ケース	TO-247-3
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
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	TK040N65Z,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	詳細