TK040N65Z,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호	TK040N65Z,S1F
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	57A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 2.85mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	6250pF @ 300V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	360W (Tc)
작동 온도	150°C
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-247
패키지 / 케이스	TO-247-3
무게	-
원산지	-

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	TK0405800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 4POS SIDE ENTRY 5MM PCB	세부
	TK040N65Z,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	세부