HN3C10FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	HN3C10FUTE85LF
Статус детали	Active
Тип транзистора	2 NPN (Dual)
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	12V
Частота - переход	7GHz
Шум (дБ Тип @ f)	1.1dB @ 1GHz
Усиление	11.5dB
Мощность - макс.	200mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	80 @ 20mA, 10V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	80mA
Рабочая Температура	-
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройств поставщика	US6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
HN3C10F	TOSHIBA	HN3C10F TOSHIBA SOT-36.. New Original Stocks	подробности
HN3C10FU(TE85L)	TOSHIBA	HN3C10FU(TE85L) TOSHIBA SOT363 New Original Stocks	подробности
HN3C10FUTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN US6	подробности
HN3C12FT	TOS	HN3C12FT TOS SOT New Original Stocks	подробности
HN3C12FU	TOSHIBA	HN3C12FU TOSHIBA SOT363 New Original Stocks	подробности