HN3C10FUTE85LF

HN3C10FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
HN3C10FUTE85LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
TRANSISTOR NPN US6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3874 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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HN3C10FUTE85LF 詳細な説明

品番 HN3C10FUTE85LF
部品ステータス Active
トランジスタタイプ 2 NPN (Dual)
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 12V
周波数 - 遷移 7GHz
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
利得 11.5dB
電力 - 最大 200mW
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 80 @ 20mA, 10V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 80mA
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ US6
重量 -
原産国 -

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