HN3C10FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: HN3C10FUTE85LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: TRANSISTOR NPN US6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - RF
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 3530 pcs
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Número de pieza	HN3C10FUTE85LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	2 NPN (Dual)
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	12V
Frecuencia - Transición	7GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Ganancia	11.5dB
Potencia - Max	200mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)	80mA
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	US6
Peso	-
País de origen	-

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