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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - RF › HN3C10FUTE85LF
HN3C10FUTE85LF

HN3C10FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
HN3C10FUTE85LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANSISTOR NPN US6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
HN3C10FUTE85LF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3781 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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HN3C10FUTE85LF Description détaillée

Numéro d'article HN3C10FUTE85LF
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN (Dual)
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gain 11.5dB
Puissance - Max 200mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80mA
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur US6
Poids -
Pays d'origine -

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