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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › HN3C10FUTE85LF
HN3C10FUTE85LF

HN3C10FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
HN3C10FUTE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR NPN US6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
HN3C10FUTE85LF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3729 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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HN3C10FUTE85LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HN3C10FUTE85LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gewinnen 11.5dB
Leistung max 200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80mA
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket US6
Gewicht -
Ursprungsland -

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