| номер части | PD20010-E |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 2GHz |
| Усиление | 11dB |
| Напряжение - испытание | 13.6V |
| Текущий рейтинг | 5A |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 150mA |
| Выходная мощность | 10W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 40V |
| Упаковка / чехол | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Пакет устройств поставщика | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
PD200 | VISHAY | Plate Capacitors with Contoured Rim - Class 1 Ceramic | подробности |
|
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | подробности |
.jpg "PD20010S-E") |
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | подробности |
|
PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | подробности |
|
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | подробности |
|
PD20012 | NIEC | DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V | подробности |
|
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | подробности |
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | подробности |
|
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | подробности |
|
PD20016 | NIEC | DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V | подробности |
