PD20010-E - STMicroelectronics

부품 번호	PD20010-E
부품 상태	Active
트랜지스터 유형	LDMOS
회수	2GHz
이득	11dB
전압 - 테스트	13.6V
전류 정격	5A
잡음 지수	-
전류 - 테스트	150mA
전력 출력	10W
전압 - 정격	40V
패키지 / 케이스	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급 업체 장치 패키지	PowerSO-10RF (Formed Lead)
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
PD200	VISHAY	Plate Capacitors with Contoured Rim - Class 1 Ceramic	세부
PD20010-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	세부
PD20010S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	세부
PD20010STR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR	세부
PD20010TR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM	세부
PD20012	NIEC	DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V	세부
PD20015-E	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF	세부
PD20015C	STMicroelectronics	FET RF 40V 2GHZ M243	세부
PD20015S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	세부
PD20016	NIEC	DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V	세부