| Numero di parte | PD20010-E |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | LDMOS |
| Frequenza | 2GHz |
| Guadagno | 11dB |
| Voltaggio - Test | 13.6V |
| Valutazione attuale | 5A |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 150mA |
| Potenza - Uscita | 10W |
| Tensione - Rated | 40V |
| Pacchetto / caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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PD200 | VISHAY | Plate Capacitors with Contoured Rim - Class 1 Ceramic | Dettagli |
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PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Dettagli |
.jpg "PD20010S-E") |
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Dettagli |
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PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | Dettagli |
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PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | Dettagli |
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PD20012 | NIEC | DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V | Dettagli |
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PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | Dettagli |
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PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | Dettagli |
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PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Dettagli |
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PD20016 | NIEC | DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V | Dettagli |
