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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - RF › PD20010-E
PD20010-E

PD20010-E - STMicroelectronics

Numero di parte
PD20010-E
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PD20010-E Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
632 pcs
Prezzo di riferimento
USD 18.17/pcs
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PD20010-E Descrizione dettagliata

Numero di parte PD20010-E
Stato parte Active
Transistor Type LDMOS
Frequenza 2GHz
Guadagno 11dB
Voltaggio - Test 13.6V
Valutazione attuale 5A
Figura di rumore -
Corrente - Test 150mA
Potenza - Uscita 10W
Tensione - Rated 40V
Pacchetto / caso PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitore PowerSO-10RF (Formed Lead)
Peso -
Paese d'origine -

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