• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Электронные компоненты › IGBT МОДУЛЬ › PD20012
PD20012

PD20012 - NIEC

номер части
PD20012
производитель
NIEC
Краткое описание
DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
PD20012 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
IGBT МОДУЛЬ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
46520 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку PD20012

PD20012 Подробное описание

номер части PD20012
Package Type SMD or Through Hole
Rohs Status Lead free / RoHS Compliant
Description DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V
MFG Part Code PD20012
Series PD20
Delivery Time 1 Day
Особенности -
напряжение -
Date Code New
Тип монтажа -
Рабочая Температура -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Текущий -
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ PD20012

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
PD200 PD200 VISHAY Plate Capacitors with Contoured Rim - Class 1 Ceramic подробности
PD20010-E PD20010-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF подробности
PD20010S-E PD20010S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF подробности
PD20010STR-E PD20010STR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR подробности
PD20010TR-E PD20010TR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM подробности
PD20012 PD20012 NIEC DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V подробности
PD20015-E PD20015-E STMicroelectronics TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF подробности
PD20015C PD20015C STMicroelectronics FET RF 40V 2GHZ M243 подробности
PD20015S-E PD20015S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF подробности
PD20016 PD20016 NIEC DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V подробности