PD20010STR-E - STMicroelectronics

номер части	PD20010STR-E
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	2GHz
Усиление	11dB
Напряжение - испытание	13.6V
Текущий рейтинг	5A
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	150mA
Выходная мощность	10W
Напряжение - Номинальное напряжение	40V
Упаковка / чехол	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Пакет устройств поставщика	PowerSO-10RF (Straight Lead)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
PD200	VISHAY	Plate Capacitors with Contoured Rim - Class 1 Ceramic	подробности
PD20010-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	подробности
PD20010S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	подробности
PD20010STR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR	подробности
PD20010TR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM	подробности
PD20012	NIEC	DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V	подробности
PD20015-E	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF	подробности
PD20015C	STMicroelectronics	FET RF 40V 2GHZ M243	подробности
PD20015S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	подробности
PD20016	NIEC	DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V	подробности