SSU1N60BTU-WS - ON Semiconductor

номер части	SSU1N60BTU-WS
Статус детали	Not For New Designs
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	215pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	I-PAK
Упаковка / чехол	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SSU1N50A	FAIRCHILD	SSU1N50A FAIRCHILD TO-251 New Original Stocks	подробности
SSU1N50B	FSC	SSU1N50B FSC TO-251 New Original Stocks	подробности
SSU1N50BTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK	подробности
SSU1N60BTU-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK	подробности
SSU1N60BTU_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK	подробности