SSU1N60BTU-WS

SSU1N60BTU-WS - ON Semiconductor

Numéro d'article
SSU1N60BTU-WS
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
706652 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.233/pcs
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SSU1N60BTU-WS Description détaillée

Numéro d'article SSU1N60BTU-WS
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I-PAK
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids -
Pays d'origine -

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