SSU1N60BTU-WS - ON Semiconductor

Número de pieza: SSU1N60BTU-WS
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 706652 pcs
Precio de referencia: USD 0.233/pcs
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Número de pieza	SSU1N60BTU-WS
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	I-PAK
Paquete / caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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