SSU1N60BTU-WS - ON Semiconductor

品番	SSU1N60BTU-WS
部品ステータス	Not For New Designs
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	215pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.5W (Ta), 28W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	I-PAK
パッケージ/ケース	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
SSU1N50A	FAIRCHILD	SSU1N50A FAIRCHILD TO-251 New Original Stocks	詳細
SSU1N50B	FSC	SSU1N50B FSC TO-251 New Original Stocks	詳細
SSU1N50BTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK	詳細
SSU1N60BTU-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK	詳細
SSU1N60BTU_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK	詳細