SSU1N60BTU-WS - ON Semiconductor

Numero di parte	SSU1N60BTU-WS
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SSU1N50A	FAIRCHILD	SSU1N50A FAIRCHILD TO-251 New Original Stocks	Dettagli
SSU1N50B	FSC	SSU1N50B FSC TO-251 New Original Stocks	Dettagli
SSU1N50BTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK	Dettagli
SSU1N60BTU-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK	Dettagli
SSU1N60BTU_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK	Dettagli