| номер части | JANTX2N3029 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Состояние напряжения - выключено | 1000V |
| Запуск триггера напряжения (Vgt) (макс.) | 800mV |
| Запуск триггера тока (Igt) (Макс.) | 200µA |
| Напряжение - состояние включения (Vtm) (макс.) | 1.5V |
| Current - On State (It (AV)) (Макс.) | - |
| Current - On State (It (RMS)) (Макс.) | 250mA |
| Ток - Удержание (Ih) (Макс.) | 5mA |
| Текущее состояние выключения (макс.) | 100nA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 5A, 8A |
| Тип SCR | Sensitive Gate |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Пакет устройств поставщика | TO-18 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | подробности |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | подробности |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | подробности |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | подробности |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | подробности |
