| Numéro d'article | JANTX2N3029 |
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| État de la pièce | Active |
| Tension - État désactivé | 1000V |
| Tension - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Courant - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Tension - Sur état (Vtm) (Max) | 1.5V |
| Courant - Sur état (It (AV)) (Max) | - |
| Courant - Sur état (It (RMS)) (Max) | 250mA |
| Courant - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
| Courant - Hors état (Max) | 100nA |
| Courant - Non Rep Surge 50, 60Hz (Itsm) | 5A, 8A |
| Type SCR | Sensitive Gate |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-18 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Détails |
