| Artikelnummer | JANTX2N3029 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Spannung - Aus Zustand | 1000V |
| Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (Max) | 1.5V |
| Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max) | - |
| Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max) | 250mA |
| Aktuell - Halten (Ih) (Max) | 5mA |
| Aktuell - Aus Status (Max) | 100nA |
| Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 5A, 8A |
| SCR-Typ | Sensitive Gate |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-18 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Einzelheiten |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Einzelheiten |
